早期的半导体材料是由锗制成的，因为当时硅的提纯技术还不够成熟。第一个集成电路是在锗上制造的。用高纯硅粉制作半导体材料大概有以下几个原因:地壳中硅的含量很高。根据我们目前对半导体硅的使用情况，如果还是用锗的话，地球上可能没剩下多少锗了（个人并没有具体计算）。

硅和二氧化硅之间的界面。高纯硅粉的界面性能良好。与其他半导体材料对应氧化层的界面相比，硅与二氧化硅的界面是完美的。随着技术的发展，界面缺陷的控制越来越好。例如洁净室改造后，缺陷的影响一直很低。同时，在注入杂质时，二氧化硅可以作为屏蔽层，有效阻挡磷、硼等杂质。二是高纯硅粉是一种非常稳定的绝缘体材料（它的能隙大约是9ev，我不知道我是否记得正确），而二氧化锗不仅在高温下不稳定，而且还可以溶于水，而二氧化硅根本没有这样的问题;二氧化硅的大能隙会使其漏电流变小（当然，如果氧化层太薄，漏电流会增大）。

与锗相比，高纯硅粉具有更大的能隙，因此可以承受更高的工作温度和更大的杂质掺杂范围。硅材料的击穿电压也会更高。以前的半导体器件都是锗做的，技术成熟，开关响应速度更快。但是，这个东西需要烧太多钱。资本家选择了硅，于是很多科学家开始在硅上有所突破。当然，这和硅本身的很多优良性质有关，比如储量大，性能稳定。另一个优点是二氧化硅是天然绝缘体，热处理后可以直接用作中间层。

硅含量为99％（2N）、99.9％（3N）、99.99％（4N）、氧、碳、磷、硫和金属杂质含量极低的高纯硅粉，可以满足对杂质要求高的工业过程的需要，填补了国内高纯工业硅粉领域的空白。航空/汽车用铝合金、钛合金、铜合金、高性能氮化硅和碳...

在国际上，高纯度高纯硅粉材料的生产仍以美国、德国、日本和韩国为主。在政府政策的鼓励和大量的财政援助下，依靠自建电厂、优惠电价、财税补贴等政策支持，技术改造和产能扩张并重。